SiCは不足から稼働率競争へ――技術優位だけでは勝てない

SiC搭載率はEV台数だけでなく、車両電圧、価格帯、航続距離、ハイブリッド比率、OEMの設計方針に左右される。低価格車が伸びれば、シリコンIGBTとのコスト比較が厳しくなる。EVが増えるからSiCも同じ率で増えるとは限らない。

ウェハー径を150mmから200mmへ拡大すると、一枚から取れるダイ数は増える。しかし結晶欠陥、エピ成長、加工、装置調整、歩留まりが安定しなければ、面積効率は利益へ変わらない。移行初期は減価償却と立ち上げ損失が先に出る。

基板からエピ、デバイス、モジュールまで内製すれば、品質管理と供給確保に有利である。一方、需要が減ったときは全工程の固定費を自社で負う。外部調達モデルは供給制約時に弱いが、サイクル下落時には資産を軽くできる。

企業比較では、基板能力の大きさより、内部消費率、外販比率、長期契約、顧客認証済み容量を確認すべきだ。能力が多いことは、受注で埋まっている場合だけ強みになる。

次の競争軸はオン抵抗や耐圧だけではない。ダイ縮小、ゲート酸化膜信頼性、モジュール設計、熱抵抗、歩留まり、サイクルタイムを含む総原価が重要になる。材料技術が成熟するほど、製造運用の差が利益率を決める。

SiC市場を読むには、EV販売台数に加え、200mmラインの稼働率、ウェハー価格、長期供給契約の再交渉、OEMの800V採用、シリコンとのシステムコスト差を追う必要がある。不足から稼働率へ、監視すべき変数は変わった。