300mm GaNのコスト優位はウェハ面積より既存工場を使い切れるかで決まる

Infineonは2025年7月、300mm GaN技術の進展を発表し、200mmウェハに比べて一枚当たり約2.3倍のチップを得られると説明した。最初の顧客サンプルを2025年第4四半期に計画した。[1]

大口径化はエッジ損失の比率を下げ、装置当たりの処理個数を増やす。ただし欠陥密度や工程時間が同じであることを保証しない。[1]

Infineonは既存の300mm高量産インフラを活用できる点を強調している。自動搬送、計測、製造実行、装置保守を共用できれば、新工場を専用構築するより固定費を抑えられる。[1]

一方、GaN固有材料、反応室汚染、熱履歴、プロセス互換性によって共用範囲が限られる可能性がある。名目上同じ口径でも装置転用率を確認する必要がある。[1]

Infineonは300mm化をGaNとシリコンのコストパリティへ近づける手段と位置付ける。実際の良品コストはエピ品質、欠陥、電気特性分布、テスト時間に依存する。[1]

電源製品では顧客認定と信頼性データの蓄積にも時間がかかる。ウェハ出荷可能でも、高付加価値製品の量産認定が遅れれば稼働率は上がらない。[1]

300mm化はデータセンター、産業、民生電源など幅広いGaN用途の供給能力を拡大し得る。供給増が価格低下と新用途採用へつながるかは需要弾力性次第である。[1]

追うべきはウェハ開始数ではなく、量産歩留まり、装置共用率、顧客認定件数、平均販売価格、300mm品の出荷構成比である。[1]